60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN

Name: 60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN
Brand: ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd
SKU: 1601239023931
Price: 0.01 USD
Availability: InStock

Nog geen beoordelingen

ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd

Leverancier met huismerk 15 yrs

60T120 IGW60T120FKSA1 IGBT Transistor Single 100A 1200V 375W DIP PG-TO247-3-1 IGW60T120 FGY60T120SQDN

High Power Handling: Deze IGBT-transistor kan een maximaal vermogen van 375W aan, waardoor hij geschikt is voor toepassingen met een hoog vermogen, zoals gevraagd door gebruikers die een betrouwbare en efficiënte stroomoplossing nodig hebben.
Hoogspanning en Stroom Rating: Met een voltage van 1200V en een huidige classificatie van 100A, is deze transistor ideaal voor hoogspannings-en hoogstroomtoepassingen, zoals voedingen en motoraandrijvingen.
Breed bedrijfstemperatuurbereik: de transistor kan werken bij temperaturen van-55 ° C tot 175 ° C, waardoor hij geschikt is voor zware omgevingen, zoals die in industriële en automobieltoepassingen.
Snelle schakelsnelheid: deze IGBT-transistor heeft een hoge schakelsnelheid, waardoor hij geschikt is voor toepassingen die hoogfrequent schakelen vereisen, zoals voedingen en motoraandrijvingen.
Originele merk-en kwaliteitsgarantie: als een origineel merkproduct wordt deze transistor geleverd met een garantie voor kwaliteit en betrouwbaarheid, zodat gebruikers een krachtige component ontvangen die aan hun behoeften voldoet.

Minder weergeven

Belangrijkste kenmerken

Belangrijkste specificatie voor de industrie

modelnummer

IGW60T120FKSA1

type

Igbt Transistor

naam van het merk

original

pakket type

Throught Hole

Andere specificaties

Montage Type

Through Hole

Beschrijving

plaats van herkomst

original

Pakket/Case

TO-247-3

type

Transistor

Werktemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Serie

IGBT 1200V 60A UFS

D/c

new

toepassing

品名

FGY60T120SQDN

Huidige-Collector (Ic) (Max)

Voltage-Collector Emitter Afbraak (Max)

Vce Verzadiging (Max) @ Ib, Ic

Huidige-Collector Cutoff (Max)

DC Stroom Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

Power-Max

Frequentie-Overgang

Bedrijfstemperatuur

Mounting Type

Through Hole

Weerstand-Base (R1)

Weerstand-Emitter Base (R2)

FET Type

FET Feature

Afvoer naar Bron Voltage (Vdss)

Huidige-Continue Drain (Id) @ 25 °C

Rds Op (Max) @ Id, Vgs

Vgs (th) (Max) @ Id

Gate Lading (Qg) (Max) @ Vgs

Input Capaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

frequentie

Huidige Rating (Amps)

Ruisgetal

Power-Output

Voltage-Rated

Drive Voltage (Max Rds Op, Min Rds Op)

Vgs (Max)

IGBT Soort

Configuratie

Vce (op) (Max) @ Vge, Ic

Input Capaciteit (Cies) @ Vce

Input

NTC Thermistor

Voltage-Afbraak (V (BR) GSS)

Huidige-Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

Huidige Drain (Id)-Max

-Voltage Cutoff (VGS off) @ Id

Weerstand-RDS (On)

Spanning

Voltage-Uitgang

Voltage-Offset (Vt)

Huidige-Gate Anode Lekkage (Igao)

Huidige-Vallei (Iv)

Huidige-Piek

Toepassingen

Transistor Type

Brand

Original

Stocking time

3-5day

delivery address

shenzhen

Meer weergeven

Doorlooptijd

Productbeschrijvingen van de leverancier

>= 10 stukken

€ 0,0098

Variaties

Totaal aantal opties:

Nu selecteren

Verzending

Er zijn momenteel geen verzendoplossingen beschikbaar voor de geselecteerde hoeveelheid

Bescherming voor dit product

Veilige betalingen

Elke betaling die u op Chovm.com doet, is beveiligd met strikte SSL-codering en PCI DSS-gegevensbeschermingsprotocollen

Restitutiebeleid en Easy Return

Claim een restitutie als uw bestelling niet wordt verzonden, is zoekgeraakt of aankomt met productproblemen, plus retourneer gratis lokaal bij defecten

Hoeveelheid (stukken)	1 - 100	101 - 1000	> 1000
Geschatte tijd (in dagen)	5	7	Overeen te komen