High Power Handling: Deze G60N100 IGBT-transistor is ontworpen voor een maximaal vermogen van 180W, waardoor hij geschikt is voor veeleisende toepassingen die een hoog vermogen vereisen.
Hoge stroomcapaciteit: met een maximale collectorstroom van 60A en een gepulseerde stroom van 120A, is deze transistor ideaal voor toepassingen die een hoge stroombehandeling vereisen, zoals motorregeling en voedingen.
Lage VCE(on) spanning: De transistor heeft een lage VCE (aan) spanning van 2,9 V bij 15V, waardoor stroomverlies en warmteontwikkeling worden verminderd en de algehele efficiëntie wordt verhoogd.
Hoge Betrouwbaarheid: Het originele merk G60N100 IGBT-transistor is ontworpen met NPT-en loopgraventechnologie, wat zorgt voor hoge betrouwbaarheid en duurzaamheid in ruwe omgevingen.
Gebruiksvriendelijk Ontwerp: Deze transistor is beschikbaar in een door-gat pakkettype, dat het gemakkelijk maakt om in bestaande ontwerpen te integreren en de behoefte aan extra opzettende componenten minimaliseert.